激發(fā)輻射的散射將影響樣品中元素的特征輻射強度，這是由于散射過程將影響光譜的背景。此外，還存在兩個主要的效應:

樣品中激發(fā)輻射被吸收和由此產(chǎn)生的或由其他元素（基體）發(fā)射的熒光輻射。

樣品中其他元素的次級激發(fā)（增強）。

樣品中測試元素的特征譜線的強度會受到其它元素的干擾，典型的干擾如下：

1、逃逸峰

逃逸峰的產(chǎn)生機理：進入硅檢測器的X熒光如果其能量比硅的吸收限（1.74KeV）高，那么該入射X熒光會激發(fā)出新的硅X熒光，當部分硅的X熒光逃逸出監(jiān)測器時，探測器只能探測到原入射X熒光損失了1.74KeV之后的能量，從而形成逃逸峰,如圖所示。

案例：

(1)物料含高Sn時中測試Cd元素的影響

影響產(chǎn)生的機理：當樣品中含有大量的Sn，其Ka能量為25.044KeV。Sn元素的逃逸峰能量為23.304KeV與Cd元素Ka能量23.130KeV接近，存在互相干擾。如圖"所示。

(2) 物料含高Ti時對Cl元素的影響

影響產(chǎn)生的機理：當樣品中含有大量的Ti或其化合物，其Ka能量為4.512KeV。Ti元素的逃逸峰能量為2.772KeV與Cl元素ClKa能量2.620KeV接近，存在互相干擾。如圖"所示。

2、和峰

    和峰的產(chǎn)生機理：當多束X熒光在幾乎同一時間射入檢測器時，這些射線的能譜累積處會出現(xiàn)和峰，檢測器會將其誤判為另外一種元素的特征射線。在針對RoHS禁用物質(zhì)的檢測中，如果鉛大量存在，那么，在Pb-Lb1、Pb-Lα線累積并加倍的位置會出現(xiàn)一個和峰，該峰于Cd的能譜位置重疊，對元素Cd的測定產(chǎn)生影響（導致元素Cd的測定結果比實際的高）。如圖所示。

3、As對Pb的影響

    影響產(chǎn)生的機理：在對RoHS禁用物質(zhì)的檢測中，Pb-Lα線和As-Kα線有重疊，因此，在樣品中含有大量元素As時，會對元素Pb的測定結果產(chǎn)生影響。如圖所示。

4、高Br對Pb的影響

    影響產(chǎn)生的機理：當樣品中含有大量Br的時候，會把相鄰的PbLb峰蓋住或抬高,則影響到元素Pb的測定結果（元素Pb的測定結果會比實際的高），如圖所示。

注：以上例舉幾種常見元素干擾，僅供參考，舉一反三。